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IBMSOI工艺造全球最小最快存储芯片

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来源: 作者: 2019-03-02 17:52:34

IBM公司上周末宣布,已经成功使用32nm SOI工艺打造出了eDRAM嵌入式存储芯片原型样品,

IBMSOI工艺造全球最小最快存储芯片

号称是 全世界体积最小、存储密度最大、速度最快的芯片内嵌动态存储设备 。

IBM表示,相比体硅工艺,32nm SOI工艺能够提供30%的性能提升,同时功耗下降40%。而对比各大厂商在芯片缓存中通常使用的SRAM,eDRAM的每个存储单元只需要一个晶体管,因此体积更小,存储密度更高,速度和容量都比32nm/22nm SRAM有明显优势。

具体来说,新32nm eDRAM存储密度是2008年8月他们创造 全球最小存储单元纪录 的22nm嵌入式SRAM的两倍,32nm SRAM的四倍。如使用这一技术,处理器的内置缓存容量将得到成倍提升。

速度方面,32nm SOI eDRAM的延迟和工作循环时间均小于2ns,是目前速度最快的嵌入式存储设备。而它的待机功耗还是同类SRAM的四分之一,出错几率是SRAM的几千分之一。

IBM表示,将在12月举行的国际电子设备会议上介绍32nm和22nm的eDRAM技术细节。而该技术未来将被使用在IBM的服务器处理器以及多种应用芯片中,并授权给IBM的多家合作伙伴使用。

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